容量激增!全球首顆 3D TLC快閃儲存晶片來了!

3 bit 3D V NAND Flash Memory 2

現在的不論是智能手機、平板電腦、筆記型電腦都是使用快閃儲存晶片,這個新技術可以讓電腦得到突破傳統硬碟的速度,但容量及速度因為到目前為止還是新技術,價格較高,更有物理上限,而現在Samsung 就推出新一代3D疊層技術的TLC快閃儲存晶片,容量進一步提升。

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Samsung 推出新一代3D疊層技術的V-NAND快閃儲存晶片,有24、32層商業化的3D TLC,是全球第一個3D疊層技術的TLC快閃儲存晶片,名為3-bit multi-level-cell (MLC),基於第二代3D工藝,每顆3D TLC快閃儲存晶片容量進一步提升至128Gb,成本大大降低。

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