目前智能手機、平板電腦、筆記型電腦及桌面級電腦,都會使用快閃儲存 Flash 晶片,因為快閃儲存 Flash 比傳統硬碟更耐用,更快速、更省電同時亦更細節省空間,而現在就有公司推出全新的儲存技術,存取速度接近 RAM ,名為MRAM。
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日本TDK首次展示新型儲存技術MRAM的原型,有望取代如今普及的Flash快閃儲存晶片,MRAM使用的磁阻隨機儲存,用電子動量來改變磁場寫入數據,可以媲美SRAM、DRAM,但在斷電後可以保存數據,結合RAM、Flash的優點。
目前測試的容量才1MB,實用性仍然是零,不過已經是一大突破,只看速度,就可以得知道,MRAM 比 Flash 快達7倍,完完全全是一個大突破。
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