近來的智能手機至桌面電腦的處理器發展已到達較能過盛的地步，但限制著裝置使用體驗的，就是儲存硬碟，因此新興的 SSD 因為存取速度快而成為賣點，而現在就有最新的Samsung SSD 產品使用最新的3D V-NAND 快閃儲存晶片。
Samsung 早在去年年中就已經完成3D V-NAND 快閃儲存晶片的開發工作，直到今年 2 月份才隨最新的旗艦級消費級SSD 850 Pro 系列一同亮相，而現在 Samsung 推出的 850 EVO SSD 系列，將會是第二代使用3D V-NAND 快閃儲存晶片。
新一代 3D V-NAND 技術打破了傳統 NAND 架構的密度限制，使用垂直單元結構， 32 層垂直設計，可以讓同一顆晶片內加入更多單元，提高容量和性能，性能提高 20% 以上，耗電量減少 40%，全新的 850 EVO SSD 系列將會加入全新的控制晶片，保證讀寫穩定性。
Samsung 850 EVO 規格:
• 容量: 120 GB, 250 GB, 250 GB, 1 TB
• 讀取速度: up to 540 MB/s
• 寫入速度: up to 520 MB/s
• 隨機讀寫: up to 90K IOPS (1 TB model)
