目前最多裝置使用的 SSD是使用NAND標準的,不少公司為了可以讓容量大幅提升,使用全新的3D立體堆疊設計,不過TLC格式引發許多質疑,因此研發一種可取而代之的新式非易失性存儲技術勢在必行,現在就有一種全新的電阻式RAM來了。
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這個最新的技術名為RRAM,RRAM相比NAND最大的優勢就是更高效能,Crossbar宣佈他們的RRAM已經開始進入商業化階段,能夠進入工廠量產,Crossbar表示,他們可以做到最低50ms,比傳統速度快上萬倍,循環寫入可以達數百萬次,比目前幾千次高出了不少。
2015年底或2016年初量產,RRAM可使用常規的CMOS製造,只需稍微調整即可,幾乎任何現有晶片廠的生產線都可以直接使用,有利於控製成本,RRAM當然也可以使用類似NAND3D立體堆疊設計,能夠大大提升容量。