突破 Samsung 最新技術！全新 3D 快閃晶片多達 48 層！

目前智能手機越來越細小，為了可以在更細小的空間下有更強效能或更大容量，每一個硬件必需要進一步縮小，而現在就有最新的消息顯示，東芝成功開發出全新的 3D NAND 快閃晶片，比 Samsung 的 32 層 SSD 更強大。

目前 Samsung 最高的 3D 快閃晶片，最高只有32層，但東芝成功開發出全新的 3D NAND 快閃晶片，最高多達 48 層，比 Samsung 的 32 層多出 50%，使用的更是各位最愛的2-bit MLC，單顆容量128Gb(16GB)。

東芝表示將會在今年下半年投入量產，相信會在2016年大規模推出，產品包括流動產品、桌面消費級產品及企業級產品。