耗電量大減 50%！全新 FD-SOI 技術投產！

近來 Samsung 為蘋果生產的 A9 處理器中，使用了最新的 14nm 納米製程，聲稱可以讓處理器的能源效益更高，不過就出現了比 16nm 更耗電的問題，而現在看來 Samsung 正全力解決這個問題，消息顯示將會推出全新的FD-SOI技術，讓耗電量減少 50%。

三星LSI業務總監Kelvin Low表示，他們和半導體公司合力開發的28nm FD-SOI納米製程技術已經開始投產，最大的亮點在於超低耗電量，對比HKMG，FD-SOI可以大大減少耗電量 50 %。

從技術上，簡單區分FinFET和FD-SOI的方法，就是FinFET是立體型晶體管，而FD-SOI是平面設計，相信將會在技術成熟後，使用在1Xnm產品上。