突破技術限制！DRAM 下月正式進入 1x nm 時代！

科技發展下，智能手機及流動電腦成為用戶最喜愛的產品，不過對於速度及電池續航力上，還有巨大的改進空間，而現在就有最新的消息顯示，Samsung 將會在明年首季，量產首個18nm DRAM晶片，提升能源效益及效能。

據了解，Samsung 將會在2016年第一季度量產全球首個18nm DRAM晶片，正式讓 RAM 進入 1X nm 時代，新技術下，能明顯提升性能、降低耗電量及成本，同時可以讓單一 RAM 的最高容量得到提升，突破目前的限制。

除了 Samsung，SK和美光也計劃明年進入1xnm DRAM時代，不過目前 Samsung 是這個領域上快展最快，但短期內推出的新產品，還是使用 20 nm 的技術，各位要耐心等一下了。