近年不少用戶對於手機的儲存空間要求不斷提升，以往只有 8GB、16GB 已經足夠的手機，在今天已經不足夠，64GB、128GB 的手機儲存空間才是「基本配備」，手機功能越來越多，手機對於儲存空間的要求亦越多。近日 Micron 正式發佈了全球首款用上 3D-NAND 快閃儲存技術的記憶晶片，雖然首款發佈的只有 32GB 容量，但 3D-NAND 有 3 大特性，其中一個就是可在不改變晶片大小之下提供更多的儲存空間。
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Micron 首款用上 3D-NAND 快閃儲存技術的晶片容量為 32GB，同時具備了 UFS 2.1 標準，可以用在手機之上。3D-NAND 有 3 大好處，分別是相比傳統的儲存技術有更高的壽命、讀寫速度更高，以及容量可以在不改變晶片體積的情況下提升。當中這款 32GB 的 3D-NAND 晶片已具備 UFS 2.1 標準，即是讀取速度已達到 1.5GB/s，寫入速度接近 500MB/s。Micron 表示，目前已做到比以往減少了 30% 的佔用空間，讓手機可以有更多空間容納其他零件，如更大容量的電池，而未來手機亦可以輕易提供 TB 級別的儲存空間。
