處理器硬件發展，一直被人指出達到物理極限，納米製程已經開始邁向單位數值，而繼早前 Intel 因為技術問題，要推遲發展更細製程處理器時，Samsung 就發展最新的 3 nm 納米製程。
Samsung 在早前舉行的 SFF 2018 USA 大會上，宣佈將會同時發展 5 nm、4 nm、3 nm 納米製程，直接逼近物理極限。其中主要改變為下。
5nm：是基於 7 nm 的改進版，主要是設計更細小的處理器晶片，減少處理器佔用空間，並達到超低的耗電量。
4 nm：最後一次使用高度成熟的行業標準 FinFET 晶體技術，同時可以讓晶片變得更細小，效能提升，良品率更高的方案。
3 nm：使用全新的 Gate-All-Around 技術，重新設計晶管底層設計，可以克服目前的技術限制，及效能限制，效能得到大提升。
