近年的記憶體技術已經相當成熟，不過隨著日漸增強的需求，在這個技術之上還需要有突破。近日 IBM 發佈了最新的一項記憶體技術「PCM」（Phase-change memory），是通過改變在 PCM 上化學物的型態，產生不同的電流來讀寫資料，因此而具有讀寫速度快、耐用、非揮發性的特點，但過去因為成本過高和儲存有限，一個儲存單位僅能存 1bit，只應用在藍光碟之上，新世代技術或將用於手機儲存技術之上。
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IBM 成功研發出每儲存單位可存 3bit 而不受周圍溫度影響的PCM，這種 PCM 不像以往的 RAM 在中斷電力後會失去資料，PCM 可以暫存資料，相比快閃記憶體只可以寫入約3000次的數量相比，PCM 可至少寫入 1000 萬次，數量增加了最少 3332 倍，同時，PCM 的讀取速度只有少於 1 微秒，相比快閃記憶體的約 70 微秒，效能強了 70 倍。IBM 表示，這項技術可用於取代目前RAM在電腦中的應用，亦可以透過與快閃記憶體的結合，使用在流動裝置之上，如手機，加強讀寫速度。
