雖然現時的記憶體技術已經很強，但是對於高需求的用戶來說，始終目前的 DRAM 技術依然是不足應用。近日美國的 Stanford 大學發表了一項全新的研究，他們成功研發出一種全新的記憶體技術，足以取代目前的 DRAM 技術，而且在速度上更可以比現時的 DRAM 技術快上了 1000 倍，而且不但在速度上快了，耗電量更低還有更強大的功能。
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全新技術原理是讓一種特殊的物質，在通電的情況下由無特定形態轉換成有組織的剛性結晶狀態，IBM 及 Intel 都一直在研究這方法，不過一直以來都有一個問題，在形態轉換時會出現延遲的問題。Stanford 大學研究人員 Aaron Lindenberg 表示，他們研發出一個全新的縮減延遲方法，在記憶體上施加 0.5THz 的電脈衝可以在數皮秒（1秒相當於 10 的 12 之方皮秒）內快速轉換成結晶形態。
目前 DRAM 在則只能在納秒（1秒相當於 10 的 9 次方納秒）級別完成類似的過程。除了意味著速度上比目前的 DRAM 快上了 1000 倍的速度之外，還增強了在省電上的表現，而且更強大的是，這個全新技術即使在斷電了之後，數據也不會造成遺失，加快下一次使用的速度。
