目前 iPhone 7 及 7 Plus 上，所採用的 NAND 晶片是來自 Toshiba 及 SK Hynix 兩家公司，而當中有部分 iPhone 7 採用了 Toshiba 的全新 48 層 3D BiCS NAND 晶片，這款晶片更是從未在其他產品中採用過。近日 SK Hynix 公司宣佈，正式發佈全新的 72 層 256Gb 3D NAND 儲存晶片。
消息指出，72 層的 3D NAND 晶片可以比以往 48 層技術多出 1.5 倍的單元，每個 256Gb 儲存晶片可以每供 32GB 的儲存空間，運行速度可以比 48 層的 3D NAND 晶片提升 2 倍，讀寫效能高 20%。外界推斷，以 Toshiba 的做法，深信 SK Hynix 公司都會參考做法，把最新的技術用在下代 iPhone 之上，讓 iPhone 得益，下代 iPhone 的讀寫速度可以有望提升，在儲取檔案、開啟應用程式或讀取遊戲時可以更快。
