Samsung 近期極力發展半導體製造技術，但時至今日，在先進製程上仍難與台灣積體電路製造抗衡。話雖如此，Samsung 執行長慶桂顯喊話，宣稱將可無視目前落後的製造技術，在 5 年內超越台積電，成為領先全球的半導體製造公司，而其中的關鍵就在於 2 奈米製程。
韓國經濟日報援引慶桂顯昨日於韓國科學技術院 KAIST 的演講，說明雖然 Samsung 現在的半導體製造技術仍落後於台積電 1 至 2 年的時間，但若台積電加入 2 奈米製程的技術競賽，Samsung 反倒能後來居上。
這是因為不同於台積電採用的鰭式場效電晶體 FinFET 架構 ，Samsung 目前已為 3 奈米製程導入了閘極全環電晶體 GAAFET 架構。而在 2 奈米製程上，有報導指出台積電也計畫採用 GAAFET，換言之，Samsung 已比台積電更早將 GAA 技術實用化。
然而這是否代表 Samsung 能夠在 2 奈米製程拿下市場仍有待觀察，因為目前 Samsung 以 GAAFET 製造的 3 奈米晶片良率不佳，再者，雙方預計大量生產 2 奈米晶片的時間點皆落在 2025 年，Samsung 即便更早將 GAAFET 投入生產，能否克服技術障礙卻不得而知。
